УДК 538.935
DOI: 10.36871/ek.up.p.r.2024.11.07.014
Авторы
Муслим Ахметханович Алероев,
Чеченский государственный университет им. А.А. Кадырова, Грозный, Российская Федерация
Антон Владимирович Семенников,
Казанский государственный энергетический университет, Казань, Российская Федерация
Аннотация
Статья посвящена исследованию нанотранзисторов на основе полупроводниковых материалов, таких как графен и двумерные материалы (MoS₂), и их роли в миниатюризации электроники. Описаны преимущества этих материалов по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами, включая высокую подвижность зарядов, снижение энергопотребления и улучшенные переключательные свойства. Рассматриваются передовые технологии производства нанотранзисторов и способы преодоления проблем, связанных с утечкой тока и квантовыми эффектами. Прогнозируются перспективы их использования в квантовых вычислениях и искусственном интеллекте.
Ключевые слова
нанотранзисторы, полупроводниковые материалы, графен, двумерные материалы, миниатюризация, MoS₂, квантовые эффекты, электроника, литография, высокочастотные устройства
