УДК 621.38
DOI: 10.36871/ek.up.p.r.2024.11.07.016
Авторы
Муслим Ахметханович Алероев,
Чеченский государственный университет им. А.А. Кадырова, Грозный, Российская Федерация
Алексей Михайлович Синицин,
Казанский государственный энергетический университет, Казань, Российская Федерация
Аннотация
Статья посвящена исследованию нанотранзисторов на основе полупроводниковых материалов, таких как графен и двумерные материалы (MoS₂), и их роли в миниатюризации электроники. Описаны ключевые преимущества этих материалов, включая высокую подвижность носителей заряда, энергоэффективность и возможность работы на наноуровне. Рассматриваются современные методы производства нанотранзисторов, проблемы, связанные с квантовыми эффектами и утечкой тока, а также перспективы их применения в квантовых вычислениях и искусственном интеллекте. Прогнозируются дальнейшие пути развития технологий для создания более компактных и производительных электронных устройств.
Ключевые слова
нанотранзисторы, полупроводниковые материалы, графен, MoS₂, миниатюризация, квантовые эффекты, энергоэффективность, квантовые вычисления, электронно-лучевая литография, самосборка
