УДК 537.312
DOI: 10.36871/k.i.n.2026.02.01.008

Авторы

Разет Абасовна Магомадова,
ФГБОУ ВО «Чеченский государственный университет им. А.А. Кадырова», Грозный, Россия; ФГБОУ ВО «Чеченский государственный педагогический университет», Грозный, Россия
Фарида Магомедовна Ильмиева,
ФГБОУ ВО «Чеченский государственный педагогический университет», Грозный, Россия

Аннотация

В статье исследуется влияние дефектов кристаллической решётки на электропроводность полупроводников с учётом зонной структуры, статистики носителей заряда и механизмов рассеяния. Показано, что вакансии, междоузельные атомы, дислокации, примесные центры и границы зёрен изменяют концентрацию электронов и дырок, подвижность, время жизни неравновесных носителей и положение уровня Ферми. Рассмотрены модели собственной и примесной проводимости, рекомбинации через глубокие уровни, компенсации донорно-акцепторных состояний и температурной активации дефектов. На примере кремния при 300 К показано, что рост концентрации дефектных центров вызывает нелинейное снижение подвижности и электропроводности. Результаты применимы при проектировании полупроводниковых приборов с заданными характеристиками.

Ключевые слова

полупроводник, дефекты кристаллической решётки, электропроводность, носители заряда, подвижность.

Список литературы

  1. Архив научных свойств материалов Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Кремний: зонная структура и концентрация носителей.
  2. Ведель К.Д., Гунст Т., Смидструп С., Георгиев В. П. Рекомбинация Шокли — Рида — Холла и уровни ловушек в точечных дефектах In0,53Ga0,47As из первых принципов. Физическое обозрение Б. 2023. Т. 108. 094113.
  3. Дас Б., Агильера И., Рау У., Кирхартц Т. Что такое глубокий дефект? Совмещение статистики Шокли — Рида — Холла с теорией многофононной рекомбинации. Материалы физического обозрения. 2020. Т.
  4. 024602.  4. Национальный институт стандартов и технологий. Рекомендуемые значения фундаментальных физических постоянных: 2022.
  5. Справочник по моделям полупроводниковых материалов. Модель Коги — Томаса и модели подвижности носителей заряда.
  6. Томский политехнический университет. Дефекты кристаллической решётки. Лекционный материал.
  7. Холл Р.Н. Электронно-дырочная рекомбинация в германии. Физическое обозрение. 1952. Т. 87. С. 387.
  8. Ху Ч.-М. Движение и рекомбинация электронов и дырок. Учебные материалы по физике полупроводниковых приборов.
  9. Шокли У., Рид У.Т. Статистика рекомбинации дырок и электронов. Физическое обозрение. 1952. Т. 87. С. 835-842.